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Ultra high hole mobilities in a pure strained Ge quantum well
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Potential Sources of Compositional Inaccuracy in the Atom Probe Tomography of InxGa1-xAs
Veröffentlicht in Ultramicroscopy
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Surface enhancement of oxygen exchange and diffusion in the ionic conductor La2Mo2O9
Veröffentlicht in Solid state ionics
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Comparison of electron–phonon and hole–phonon energy loss rates in silicon
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