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MOCVD growth and characterization of (AlxGa1-x)yIn1-yP/GaAs
Veröffentlicht in Japanese journal of applied physics
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MOCVD Growth and Characterization of (Al x Ga 1-x ) y In 1-y P/GaAs
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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InGaAsP/InP heterojunction bipolar transistor grown by MOVPE
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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A New AsH 3 Cracking Method for the MOCVD Growth of InGaAs
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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A new AsH3 cracking method for the MOCVD growth of InGaAs
Veröffentlicht in Japanese journal of applied physics
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