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    Metallo-organic low-pressure chemical vapor deposition of Ta2O5 using TaC12H30O5N as precursor for batch fabrication of microsystems

    Metallo-organic low-pressure chemical vapor deposition of Ta2O5 using TaC12H30O5N as precursor for batch fabrication of microsystems von Briand, Danick, Mondin, Gianni, Jenny, Sabine, van der Wal, Peter D., Jeanneret, Sylvain, de Rooij, Nico F., Banakh, Oksana, Keppner, Herbert

    Veröffentlicht in Thin solid films

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    Il 18 Aprile

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