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    High electron mobility in strained GaAs nanowires

    High electron mobility in strained GaAs nanowires von Balaghi, Leila, Shan, Si, Fotev, Ivan, Moebus, Finn, Rana, Rakesh, Venanzi, Tommaso, Hübner, René, Mikolajick, Thomas, Schneider, Harald, Helm, Manfred, Pashkin, Alexej, Dimakis, Emmanouil

    Veröffentlicht in Nature communications

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    Separated Electronic and Strain Interfaces in Core/Dual‐Shell Nanowires: Unlocking the Potential of Strained GaAs for Applications Across Near‐Infrared

    Separated Electronic and Strain Interfaces in Core/Dual‐Shell Nanowires: Unlocking the Potential of Strained GaAs for Applications Across Near‐Infrared von Sun, Xiaoxiao, Pashkin, Alexej, Moebus, Finn, Hübner, René, Winnerl, Stephan, Helm, Manfred, Dimakis, Emmanouil

    Veröffentlicht in Advanced functional materials

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