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Determination of Mg acceptor concentration in GaN through photoluminescence
Veröffentlicht in Applied physics express
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Characterization of GaN vertical npn phototoransistor
Veröffentlicht in JSAP Annual Meetings Extended Abstracts
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Investigation of activation anneal for selective p-GaN layer
Veröffentlicht in JSAP Annual Meetings Extended Abstracts
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Effects of Cl passivation on Al2O3/GaN interface properties
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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Effects of Cl passivation on Al 2 O 3 /GaN interface properties
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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Elucidation of anti-HIV mechanism of sulfated cellobiose–polylysine dendrimers
Veröffentlicht in Carbohydrate research
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