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High-efficiency thin-film light-emitting diodes at 650 nm
Veröffentlicht in Electronics letters
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High quality InGaAs/AlGaAs lasers grown on Ge substrates
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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AlGaInP microcavity light-emitting diodes at 650 nm on Ge substrates
Veröffentlicht in IEEE photonics technology letters
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5.2% efficiency InAlGaP microcavity LEDs at 640nm on Ge substrates
Veröffentlicht in Electronics letters
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(Al)GaInP multiquantum well LEDs on GaAs and Ge
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
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Metamorphic In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48 As HEMTs on germanium substrates
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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5.2% efficiency InAlGaP microcavity LEDs at 640nm on Ge substrates
Veröffentlicht in Electronics letters
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5.2% efficiency InAlGaP microcavity LEDs at 640 nm on Ge substrates
Veröffentlicht in Electronics letters
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High-efficiency thin-film light-emitting diodesat 650 nm
Veröffentlicht in Electronics letters
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High-efficiency thin-film light-emitting diodes at 650 nm
Veröffentlicht in Electronics letters
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