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CHARACTERIZATION OF DEFECT TRAPS IN SiO_2 THIN FILMS
Veröffentlicht in Active and Passive Electronic Components
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Characterization of defect traps in SiO2 thin films
Veröffentlicht in Active and passive electronic components
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Degradation of the diode ideality factor of silicon n–p junctions
Veröffentlicht in Solar energy materials and solar cells
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On the aging of avalanche light emission from silicon junctions
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Silicon oxide defects in aging of MOS electronic devices
Veröffentlicht in Journal of non-crystalline solids
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Defect evolutions with different temperature injections in MOSFETs
Veröffentlicht in Microelectronics international
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Recombination via radiation-induced defects in field-effect transistor
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Characterization of defect traps in SiO2 thin films influence of temperature on defects
Veröffentlicht in Microelectronics
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