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Hall and field-effect mobilities in few layered p-WSe2 field-effect transistors
Veröffentlicht in Scientific reports
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Layer- and Gate-tunable Spin-Orbit Coupling in a High Mobility Few-Layer Semiconductor
Veröffentlicht in arXiv.org
VolltextArtikel -
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Hall and field-effect mobilities in few layered \(p\)-WSe\(_2\) field-effect transistors
Veröffentlicht in arXiv.org
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