SiGe bipolar technology for automotive radar applications von Bock, J., Schafer, H., Aufinger, K., Stengl, R., Boguth, S., Schreiter, R., Rest, M., Knapp, H., Wurzer, M., Perndl, W., Bottner, T., Meister, T.F.

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Selective epitaxial growth of SiGe:C for high speed HBTs von Schäfer, H., Böck, J., Stengl, R., Knapp, H., Aufinger, K., Wurzer, M., Boguth, S., Rest, M., Schreiter, R., Meister, T.F.

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SiGe driver circuit with high output amplitude operating up to 23 Gb/s von Schmid, R., Meister, T.F., Rest, M., Rein, H.-M.

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Voltage-controlled oscillators up to 98 GHz in SiGe bipolar technology von Perndl, W., Knapp, H., Aufinger, K., Meister, T.F., Simburger, W., Scholtz, A.L.

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A 60 GHz broadband amplifier in SiGe bipolar technology von Perndl, W., Wilhelm, W., Knapp, H., Wurzer, M., Aufinger, K., Meister, T.F., Bock, J., Simburger, W., Scholtz, A.L.

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A 160-GHz Subharmonic Transmitter and Receiver Chipset in an SiGe HBT Technology von Yan Zhao, Ojefors, E., Aufinger, K., Meister, T. F., Pfeiffer, U. R.

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High-performance implanted base silicon bipolar technology for RF applications von Bock, J., Knapp, H., Aufinger, K., Meister, T.F., Wurzer, M., Boguth, S., Treitinger, L.

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New method to determine the base resistance of bipolar transistors von Weng, J., Holz, J., Meister, T.F.

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Towards THz SiGe HBTs von Chevalier, P., Meister, T. F., Heinemann, B., Van Huylenbroeck, S., Liebl, W., Fox, A., Sibaja-Hernandez, A., Chantre, A.

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Collector optimization for high-speed bipolar transistors von Weng, J., Ehinger, K., Meister, T.F.

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Low-noise, low-power monolithically integrated active 20 GHz mixer in SiGe technology von Hackl, S, Meister, T F, Wurzer, M, Knapp, H, Aufinger, K, Treitinger, L, Scholtz, A L

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An 84 GHz Bandwidth and 20 dB Gain Broadband Amplifier in SiGe Bipolar Technology von Trotta, S., Knapp, H., Aufinger, K., Meister, T.F., Bock, J., Dehlink, B., Simburger, W., Scholtz, A.L.

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42 GHz static frequency divider in a Si/SiGe bipolar technology von Wurzer, M., Meister, T.F., Schafer, I., Knapp, H., Bock, J., Stengl, R., Aufinger, K., Franosch, M., Rest, M., Moller, M., Rein, H.-M., Felder, A.

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Wetting transitions at solid-gas interfaces von KROLL, D. M, MEISTER, T. F

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Noise characteristics of transistors fabricated in an advanced silicon bipolar technology von Aufinger, K., Bock, J., Meister, T.F., Popp, J.

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Advanced process modules and architectures for half-terahertz SiGe:C HBTs von Decoutere, S., Van Huylenbroeck, S., Heinemann, B., Fox, A., Chevalier, P., Chantre, A., Meister, T.F., Aufinger, K., Schroter, M.

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A sige-based 140-GHz four-channel radar sensor with digital beamforming capability von Jahn, M., Feger, R., Pfeffer, C., Meister, T. F., Stelzer, A.

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Kinetic depinning transitions von MEISTER, T. F, MÜLLER-KRUMBHAAR, H

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100-Gb/s 2 super(7)-1 and 54-Gb/s 2 super(11)-1 PRBS generators in SiGe bipolar technology von Knapp, H, Wurzer, M, Perndl, W, Aufinger, K, Bock, J, Meister, T F

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Simultaneous Integration of SiGe High Speed Transistors and High Voltage Transistors von Vytla, R.K., Meister, T.F., Aufinger, K., Lukashevich, D., Boguth, S., Knapp, H., Bock, J., Schafer, H., Lachner, R.

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