Suchergebnisse - Mehta Virat Vasav

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Ferromagnetism in tetragonally distorted LaCoO3 thin films von Mehta, Virat Vasav, Liberati, Marco, Wong, Franklin J., Chopdekar, Rajesh Vilas, Arenholz, Elke, Suzuki, Yuri

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Double magnetic tunnel junction device, formed by UVH wafer bonding von Mehta, Virat Vasav, Reznicek, Alexander

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DOUBLE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE, FORMED BY UVH WAFER BONDING von Mehta, Virat Vasav, Reznicek, Alexander

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Selectively biasing magnetoresistive random-access memory cells von Mehta, Virat Vasav, Rizzolo, Michael, Zare, Saba, Evarts, Eric Raymond

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SELECTIVELY BIASING MAGNETORESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY CELLS von ZARE, Saba, MEHTA, Virat, Vasav, RIZZOLO, Michael, EVARTS, Eric, Raymond

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MRAM CONTAINING MAGNETIC TOP CONTACT von ZARE, Saba, MEHTA, Virat, Vasav, RIZZOLO, Michael, EVARTS, Eric, Raymond

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Nanosecond non-destructively erasable magnetoresistive random-access memory von MEHTA, Virat Vasav, EVARTS, Eric Raymond, REZNICEK, Alexander, HEKMATSHOARTABARI, Bahman

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Spin-orbit-torque magnetoresistive random-access memory von Mehta, Virat Vasav, Evarts, Eric Raymond, van der Straten, Oscar

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MRAM containing magnetic top contact von Mehta, Virat Vasav, Rizzolo, Michael, Zare, Saba, Evarts, Eric Raymond

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Nanosecond non-destructively erasable magnetoresistive random-access memory von Alexander Reznicek, Virat Vasav Mehta, Eric Raymond Evarts, Bahman Hekmatshoartabari

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SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY von Mehta, Virat Vasav, Evarts, Eric Raymond, van der Straten, Oscar

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SELECTIVELY BIASING MAGNETORESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY CELLS von Mehta, Virat Vasav, Rizzolo, Michael, Zare, Saba, Evarts, Eric Raymond

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Nanosecond non-destructively erasable magnetoresistive random-access memory von Alexander Reznicek, Virat Vasav Mehta, Eric Raymond Evarts, Bahman Hekmatshoartabari

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MRAM CONTAINING MAGNETIC TOP CONTACT von Mehta, Virat Vasav, Rizzolo, Michael, Zare, Saba, Evarts, Eric Raymond

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Nanosecond non-destructively erasable magnetoresistive random-access memory von MEHTA, Virat Vasav, EVARTS, Eric Raymond, REZNICEK, Alexander, HEKMATSHOARTABARI, Bahman

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EXTERNAL MAGNETIC BOTTOM CONTACT STRUCTURE FOR MRAM von ZARE, Saba, MEHTA, Virat, Vasav, RIZZOLO, Michael, STANDAERT, Theodorus, EVARTS, Eric, Raymond

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Nanosecond non-destructively erasable magnetoresistive random-access memory von Mehta, Virat Vasav, Reznicek, Alexander, Hekmatshoartabari, Bahman, Evarts, Eric Raymond

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NANOSECOND NON-DESTRUCTIVELY ERASABLE MAGNETORESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY von Mehta, Virat Vasav, Reznicek, Alexander, Hekmatshoartabari, Bahman, Evarts, Eric Raymond

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Double magnetic tunnel junction device, formed by UVH wafer bonding von Mehta, Virat Vasav, Reznicek, Alexander

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Selectively biasing magnetoresistive random-access memory cells von Mehta, Virat Vasav, Rizzolo, Michael, Zare, Saba, Evarts, Eric Raymond

SELECTIVELY BIASING MAGNETORESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY CELLS von ZARE, Saba, MEHTA, Virat, Vasav, RIZZOLO, Michael, EVARTS, Eric, Raymond

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Spin-orbit-torque magnetoresistive random-access memory von Mehta, Virat Vasav, Evarts, Eric Raymond, van der Straten, Oscar

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SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY von Mehta, Virat Vasav, Evarts, Eric Raymond, van der Straten, Oscar

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