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Impact of silicon epitaxial thickness layer in high power diode devices
von
Mee, Cheh Chai
,
Arshad, M. K. Md
,
Hashim, U.
,
Fathil, M. F. M.
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THE EFFECTS OF INTRINSIC SILICON EPITAXIAL LAYER IN P-I-N DIODE FOR HIGH POWER DEVICES
von
Mee, Cheh Chai
,
Arshad, M K
,
Fathil, M F M
,
Hashim, U
Veröffentlicht in
ARPN journal of engineering and applied sciences
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