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On effective surface recombination parameters
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Near-infrared free carrier absorption in heavily doped silicon
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Light-enhanced surface passivation of TiO2-coated silicon
Veröffentlicht in Progress in photovoltaics
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Accurate series resistance measurement of solar cells
Veröffentlicht in Progress in photovoltaics
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Thermal stability of silicon surface passivation by APCVD Al2O3
Veröffentlicht in Solar energy materials and solar cells
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Effect of boron concentration on recombination at the p -Si–Al2O3 interface
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Perimeter Recombination Characterization by Luminescence Imaging
Veröffentlicht in IEEE journal of photovoltaics
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