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Incorporation of metal silicides and refractory metals in VLSI technology
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Effects of ion sputtering on semiconductor surfaces
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Application of Ti: W barrier metallization for integrated circuits
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James R. Durig, Vibrational spectra and structure
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Auger transitions initiated from singly and doubly ionized states in Li metal
Veröffentlicht in Solid state communications
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High resistivity Co and Ti silicide formation on silicon-on-insulator substrates
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Measured DC performance of large arrays of silicon field emitters
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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