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Recessed-Gate Enhancement-Mode \beta -Ga2O3 MOSFETs
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Adsorption-controlled growth of Ga2O3 by suboxide molecular-beam epitaxy
Veröffentlicht in APL materials
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Silicon-doped β-Ga2O3 films grown at 1 µm/h by suboxide molecular-beam epitaxy
Veröffentlicht in APL materials
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beta -Ga2O3 MOSFETs for Radio Frequency Operation
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Intra- and inter-conduction band optical absorption processes in β-Ga2O3
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Silicon-doped β -Ga2O3 films grown at 1 µ m/h by suboxide molecular-beam epitaxy
Veröffentlicht in APL materials
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Ultrafast dynamics of gallium vacancy charge states in β-Ga_{2}O_{3}
Veröffentlicht in Physical review research
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Ultrafast dynamics of gallium vacancy charge states in β − Ga 2 O 3
Veröffentlicht in Physical review research
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