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Facet stability of GaN during tri-halide vapor phase epitaxy: an ab initio -based approach
Veröffentlicht in CrystEngComm
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Facet stability of GaN during tri-halide vapor phase epitaxy: an -based approach
Veröffentlicht in CrystEngComm
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Thermodynamic analysis of InN and In Ga1−N MOVPE using various nitrogen sources
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Influence of substrate polarity on growth of InN films by RF-MBE
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
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Growth of MnGeP 2 Thin Films by Molecular Beam Epitaxy
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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Analysis of Mechanism of Infrared Absorption Caused by Nitrogen in Silicon
Veröffentlicht in SHINKU
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