-
1
Electromigration critical length effect in Cu/oxide dual-damascene interconnects
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
2
-
3
Contribution of free electrons to Al CVD on a Si surface by photo-excitation
Veröffentlicht in Applied surface science
VolltextArtikel -
4
-
5
-
6
-
7
-
8
-
9
Reliability and early failure in Cu/oxide dual-damascene interconnects
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
VolltextArtikel -
10
-
11
-
12
-
13
-
14
-
15
-
16
Superiority of DMAH to DMEAA for al CVD technology
Veröffentlicht in Materials science in semiconductor processing
VolltextArtikel -
17
-
18
-
19
-
20