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Fabrication and characterization of tensile In0.3Al0.7As barrier and compressive In0.7Ga0.3As channel pHEMTs having extremely low gate leakage for low-noise applications
von
Packeer, F
,
Mohamad Isa, M
,
Mat Jubadi, W
,
Ian, K W
,
Missous, M
Veröffentlicht in
Journal of physics. D, Applied physics
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Fabrication and characterization of tensile In 0.3 Al 0.7 As barrier and compressive In 0.7 Ga 0.3 As channel pHEMTs having extremely low gate leakage for low-noise applications
von
Packeer, F
,
Mohamad Isa, M
,
Mat Jubadi, W
,
Ian, K W
,
Missous, M
Veröffentlicht in
Journal of physics. D, Applied physics
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Design of AES S-box using combinational logic optimization
von
Ahmad, N
,
Hasan, R
,
Jubadi, W M
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Simulations of variable I-layer thickness effects on silicon PIN diode I-V characteristics
von
Jubadi, W M
,
Noor, S N M
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Comparison on I-V performances of Silicon PIN diode towards width variations
von
Shuhaimi, N I
,
Mohamad, M
,
Jubadi, W M
,
Tugiman, R
,
Zinal, N
,
Zin, R M
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Ieee Electronic Library (Iel) Conference Proceedings
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Ieee Power & Energy Library
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Ieee Electronic Library (Iel)
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3
Institute Of Physics Journals
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Institute Of Physics Iopscience Extra
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