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Growth of high Bi concentration GaAs1-xBix by molecular beam epitaxy
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Temperature dependence of hole mobility in GaAs1−xBix alloys
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Deep level defects in n-type GaAsBi and GaAs grown at low temperatures
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Bandgap and optical absorption edge of GaAs1−xBix alloys with 0 < x < 17.8
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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