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    Recessed Y-gate AlN/GaN/AlGaN DHFET with GaN cap layer at the gate edge

    Recessed Y-gate AlN/GaN/AlGaN DHFET with GaN cap layer at the gate edge von Khan, M. S. I., Maruf, H. M. Mesbah, Ahmed, M., Choudhury, M. A.

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    Device Scaling Issues in GaN Based Double Heterojunction Field-Effect Transistor and Performance Analysis

    Device Scaling Issues in GaN Based Double Heterojunction Field-Effect Transistor and Performance Analysis von Khan, M. S. I., Maruf, H. M. M., Choudhury, M. A.


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