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The controlled growth of GaN microrods on Si(111) substrates by MOCVD
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Veröffentlicht in Microelectronic engineering
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Veröffentlicht in Sensors and actuators. A. Physical.
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Veröffentlicht in Key engineering materials
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Enhanced Sensitivity of Pt/NiO Gate Based AlGaN/GaN C-HEMT Hydrogen Sensor
Veröffentlicht in Key engineering materials
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AlGaN/GaN Based SAW-HEMT Devices for Chemical Gas Sensors Operating in GHz Range
Veröffentlicht in Procedia engineering
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