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CdSnAs2 and InAs crystals at hydrostatic pressure up to 9 GPa
Veröffentlicht in High pressure research
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Fabrication and properties of an n-ZnO:Ga/p-GaN:Mg/α-Al2O3 heterojunction
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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Quasi-gapless semiconductor: p-type indium arsenide
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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CdSnAs 2 and InAs crystals at hydrostatic pressure up to 9 GPa
Veröffentlicht in High pressure research
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The behaviour of in-diffused copper in n-type CdSnAs2
Veröffentlicht in Materials science in semiconductor processing
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Resonance-hybridization version of the Mott transition
Veröffentlicht in JETP letters
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