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Cryogenic temperature operation of NiO/Ga2O3 heterojunction and Ni/Au Schottky rectifiers
Veröffentlicht in AIP advances
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Tunneling via surface dislocation in W/β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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Device engineering of p-CuAlO2/β-Ga2O3 interface: A staggered-gap band-alignment
Veröffentlicht in Materials today advances
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Ultrahigh Photoresponsivity of W/Graphene/β-Ga2O3 Schottky Barrier Deep Ultraviolet Photodiodes
Veröffentlicht in ACS nano
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On the nature of majority and minority traps in β-Ga2O3: A review
Veröffentlicht in Materials today physics
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