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Comparison of NMOS and PMOS hot carrier effects from 300 to 77 K
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Reliability of metal interconnect after a high-current pulse
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Improved hot-carrier resistance with fluorinated gate oxides
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Optimization of LDD devices for cryogenic operation
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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