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Be, S, Si, and Ne ion implantation in InSb grown on GaAs
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Co, Fe, and Ti implants in InGaAs and Co implants in InP at 200°C
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
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Dynamic permittivity of confined water under a static background field
Veröffentlicht in The Journal of chemical physics
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