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Stability of ZnSe-Passivated Laser Facets Cleaved in Air and in Ultra-High Vacuum
Veröffentlicht in IEEE photonics journal
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Influence of AlN buffer layer on growth of AlGaN by HVPE
Veröffentlicht in physica status solidi (b)
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Modulated Epitaxial Lateral Overgrowth of AlN for Efficient UV LEDs
Veröffentlicht in IEEE photonics technology letters
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Metamorphic Al 0.5 Ga 0.5 N:Si on AlN/sapphire for the growth of UVB LEDs
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Analysis of HVPE grown AlGaN layers on honeycomb patterned sapphire
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Investigation of inversion domain formation in AlN grown on sapphire by MOVPE
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
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Temperature Dependence of Dark Spot Diameters in GaN and AlGaN
Veröffentlicht in physica status solidi (b)
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High‐Temperature Annealing and Patterned AlN/Sapphire Interfaces
Veröffentlicht in physica status solidi (b)
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