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High Packing Density, High Speed CMOS (Hi-CMOS) Device Technology
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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Buried J-FET Powered Static RAM Cell
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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Endotherm in Switch-on Process in Semiconducting Glasses
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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Short Channel MOS-IC Based on Accurate Two Dimensional Device Design
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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Operation of bulk CMOS devices at very low temperatures
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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A 23-ns 4-Mb CMOS SRAM with 0.2- mu A standby current
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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Reply to “Comments” by M. Kikuchi et al
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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Low-temperature CMOS 8 × 8 bit multipliers with sub-10-ns speeds
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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