Suchergebnisse - MIN KYOUNGJOON | OPAC THWS

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A Highly Efficient and Linear Class-AB/F Power Amplifier for Multimode Operation von KANG, Daehyun, YU, Daekyu, MIN, Kyoungjoon, HAN, Kichon, CHOI, Jinsung, KIM, Dongsu, JIN, Boshi, JUN, Myoungsu, KIM, Bumman

Veröffentlicht in IEEE transactions on microwave theory and techniques

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2

A highly linear and efficient differential CMOS power amplifier with harmonic control von KANG, Jongchan, YOON, Jehyung, MIN, Kyoungjoon, YU, Daekyu, NAM, Joongjin, YANG, Youngoo, KIM, Bumman

Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits

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3

30.3% PAE HBT Doherty power amplifier for 2.5∼2.7 GHz mobile WiMAX von Daehyun Kang, Jinsung Choi, Dongsu Kim, Daekyu Yu, Kyoungjoon Min, Bumman Kim

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4

Input power dividing of Doherty power amplifiers for handset applications von Daehyun Kang, Jinsung Choi, Daekyu Yu, Kyoungjoon Min, Myoungsu Jun, Dongsu Kim, Jungmin Park, Boshi Jin, Bumman Kim

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5

A Ultra-High PAE Doherty Amplifier Basedon 0.13- m CMOS Process von Kang, Jongchan, Yu, Daekyu, Min, Kyoungjoon, Kim, Bumman

Veröffentlicht in IEEE microwave and wireless components letters

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6

Class-AB/F Doherty Power Amplifiers von Daehyun Kang, Daekyu Yu, Kyoungjoon Min, Jinsung Choi, Myoungsu Jun, Dongsu Kim, Bumman Kim

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7

Coupling-compensated 180° phase shift coupled-Line filters terminated in arbitrary impedances von Hee-Ran Ahn, Kyoungjoon Min, Daehyun Kang, Sungchul Hong, Bumman Kim

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8

Broadband Class-F Power Amplifiers for Handset Applications von Kang, Daehyun, Choi, Jinsung, Jun, Myoungsu, Kim, Dongsu, Park, Jungmin, Jin, Boshi, Yu, Daekyu, Min, Kyoungjoon, Kim, Bumman

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9

A ultra-high PAE doherty amplifier based on 0.13-μm CMOS process von KANG, Jongchan, YU, Daekyu, MIN, Kyoungjoon, KIM, Bumman

Veröffentlicht in IEEE microwave and wireless components letters

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10

mBVD METHOD OF DETERMINING PARAMETERS OF mBVD MODEL von MIN KYOUNGJOON, KIM KYUNGOH, YU DAEKYU

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11

THE METHOD OF MODELING CHARACTERISTIC PARAMETERS OF COUPLED TRANSMISSION LINES von MIN KYOUNGJOON, KIM KYUNGOH, YU DAEKYU

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12

A Ultra-High PAE Doherty Amplifier Basedon 0.13- mum CMOS Process von Jongchan Kang, Daekyu Yu, Kyoungjoon Min, Bumman Kim

Veröffentlicht in IEEE microwave and wireless components letters

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