-
1
-
2
-
3
Band Alignment of ScxAl1-xN/GaN Heterojunctions
Veröffentlicht in ACS applied materials & interfaces
VolltextArtikel -
4
-
5
-
6
-
7
-
8
-
9
-
10
-
11
-
12
-
13
-
14
-
15
431 kA/cm2 peak tunneling current density in GaN/AlN resonant tunneling diodes
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
16
-
17
-
18
GaN/NbN epitaxial semiconductor/superconductor heterostructures
Veröffentlicht in Nature (London)
VolltextArtikel -
19
Epitaxial ScAlN grown by molecular beam epitaxy on GaN and SiC substrates
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
20