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Homoepitaxy and Photoluminescence Properties of (0001) AlN
Veröffentlicht in Applied physics express
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Crack-Free Thick AlN Films Obtained by NH3 Nitridation of Sapphire Substrates
Veröffentlicht in Jpn J Appl Phys
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Layer-by-layer etching of LaAlSiOx
Veröffentlicht in Plasma sources science & technology
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Highly selective etching of LaAlSiOx to Si using C4F8/Ar/H2 plasma
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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Acoustic streaming induced in focused Gaussian beams
Veröffentlicht in The Journal of the Acoustical Society of America
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Layer-by-layer etching of LaAlSiO x
Veröffentlicht in Plasma sources science & technology
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