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NiO junction termination extension for high-voltage (>3 kV) Ga2O3 devices
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Simple Theoretical Model for Thermal Conductivity of Crystalline Polymers
Veröffentlicht in ACS applied polymer materials
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Tri-Gate GaN Junction HEMTs: Physics and Performance Space
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Thermal Switching of Thermoresponsive Polymer Aqueous Solutions
Veröffentlicht in ACS macro letters
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10 kV, 39 mΩ·cm2 Multi-Channel AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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10 kV, 39 mΩ·cm 2 Multi-Channel AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Activating Thick Buried p-GaN for Device Applications
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Supercompliant and Soft (CH3NH3)3Bi2I9 Crystal with Ultralow Thermal Conductivity
Veröffentlicht in Physical review letters
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