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Zn-doped InGaAsP (1.3 μm) contact layer for an inverted DH laser structure
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Morphological stability and crystal structure of CVD-grown zinc selenide
Veröffentlicht in Journal of materials science
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Epitaxial Layers of Gallium Phosphide on Silicon
Veröffentlicht in Physica status solidi. A, Applied research
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Preparation and Structural Properties of GaP-Layers Grown on Ge-Substrates
Veröffentlicht in Kristall und Technik
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Sensitivity of plane wave topography to microdefects
Veröffentlicht in Physica status solidi. A, Applied research
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Microdefects in silicon different from swirls
Veröffentlicht in Physica status solidi. A, Applied research
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Spiralversetzungen in dampfphasengezüchteten CdS‐Kristallen
Veröffentlicht in physica status solidi (b)
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Piezowiderstandsmessungen an n‐Silizium
Veröffentlicht in physica status solidi (b)
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