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The interstitial fraction of diffusivity of common dopants in Si
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Damage to InP and InGaAsP surfaces resulting from CH4/H2 reactive ion etching
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Hydrogen plasma removal of AlGaAs oxides before molecular beam epitaxy
Veröffentlicht in Applied physics letters
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GaAs surface reconstruction obtained using a dry process
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Behavior of intrinsic Si point defects during annealing in vacuum
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Thermal nitridation enhanced diffusion of Sb and Si(100) doping superlattices
Veröffentlicht in Applied physics letters
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