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Design and research of high voltage β-Ga2O3/4H-SiC heterojunction LDMOS
Veröffentlicht in Engineering Research Express
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Design and research of high voltage β-Ga 2 O 3 /4H-SiC heterojunction LDMOS
Veröffentlicht in Engineering Research Express
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Design of lateral β-Ga2O3 MOSFET with PFOM of 769.42 MW cm–2
Veröffentlicht in Engineering Research Express
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Design of lateral β-Ga 2 O 3 MOSFET with PFOM of 769.42 MW cm –2
Veröffentlicht in Engineering Research Express
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Study on a novel vertical enhancement-mode Ga 2 O 3 MOSFET with FINFET structure
Veröffentlicht in Chinese physics B
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Effect of annealing temperature on the characteristics of Pt/CH3NH3PbI3 contact
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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