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AC impedance method for high-resistivity measurements of silicon
Veröffentlicht in Journal of the Electrochemical Society
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A model for the charge-pumping current based on small rectangular voltage pulses
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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Majority and minority electron and hole mobilities in heavily doped GaAs
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Effect of band-gap narrowing on the built-in electric field in n-type silicon
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Optical Dielectric Constant of Pb1-xSnxTe in the Narrow-Gap Region
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Impurity bands and band tailing in n-type GaAs
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Impurity bands and band tailing in moderately doped silicon
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Models for heavy doping effects in gallium arsenide
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Application of multiscattering theory to impurity bands in Si:As
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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A new technique for growing epitaxial films of Pb1−xSnxTe
Veröffentlicht in Materials research bulletin
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Enhanced Interband Recombination in Pb1-xSnxTe
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Characterization of interface defects in oxygen-implanted silicon films
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
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