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A GaN HEMT Class F Amplifier at 2 GHz With >\,80% PAE
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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A low power and low noise p-HEMT ku band VCO
Veröffentlicht in IEEE microwave and wireless components letters
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New method to measure the source and drain resistance of the GaAs MESFET
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Design of high-speed bipolar flip-flops for reduced clock loading
Veröffentlicht in Electronics letters
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A low-power 128/spl times/1-bit GaAs FIFO for ATM packet switcher
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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The prospects for ultrahigh-speed VLSI GaAs digital logic
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Low power GaAs current-mode 1.2 Gb/s interchip interconnections
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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A low-power 128×1-bit GaAs FIFO for ATM packet switcher
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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