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    Effect of atomic layer deposited ultra‐thin SiO2 layer on vapour‐liquid‐solid (VLS) grown high dielectric TiO2 film for Si‐based MOS device applications

    Effect of atomic layer deposited ultra‐thin SiO2 layer on vapour‐liquid‐solid (VLS) grown high dielectric TiO2 film for Si‐based MOS device applications von Lodh, Soham, Chakraborty, Rajib, Das, Anindita

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