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Emission Properties of Heavily Doped Epitaxial Indium-Nitride Layers
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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All-epitaxial Al/AlGaN/GaN low-barrier Schottky diodes
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Mechanism of Band Gap Formation in the Spin-Wave Spectrum of Coupled Magnon Crystals
Veröffentlicht in JETP letters
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Microscopic and optical investigation of Ge nanoislands on silicon substrates
Veröffentlicht in Nanotechnology
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Spin current for tuning the band gaps of spin waves
Veröffentlicht in Journal of magnetism and magnetic materials
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