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Suchergebnisse - Liu, Xiaoyan (晓彦 刘)
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A physical-based pMOSFETs threshold voltage model including the STI stress effect
von
吴畏 杜刚 刘晓彦 孙雷 康晋峰 韩汝琦
Veröffentlicht in
Journal of semiconductors
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2
Comparison of band-to-band tunneling models in Si and Si-Ge junctions
von
矫亦朋 魏康亮 王泰寰 杜刚 刘晓彦
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Journal of semiconductors
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Influence of gate-source/drain misalignment on the performance of bulk FinFETs by a 3D full band Monte Carlo simulation
von
王骏成 杜刚 魏康亮 曾琅 张兴 刘晓彦
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Journal of semiconductors
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Simulation of carrier transport in heterostructures using the 2D self-consistent full-band ensemble Monte Carlo method
von
魏康亮 刘晓彦 杜刚 韩汝琦
Veröffentlicht in
Journal of semiconductors
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5
Effect of trapped charge accumulation on the retention of charge trapping memory
von
Jin, Rui (锐金)
,
Liu, Xiaoyan (晓彦 刘)
,
Du, Gang (刚杜)
,
Kang, Jinfeng (晋锋 康)
,
Han, Ruqi (汝琦 韩)
Veröffentlicht in
Journal of semiconductors
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6
New Development of Reverse Micelles and Applications in Protein Separation and Refolding
von
刘杨 董晓燕 孙彦
Veröffentlicht in
Chinese journal of chemical engineering
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Charge Trapping Memory
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Iopscience Extra
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Ingentaconnect Journals
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Ingenta Connect
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Access Via Sciencedirect (Elsevier)
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Sd College Edition Journals Collection - Physical Sciences [Scps]
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