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Enhanced n-doping of epitaxial graphene on SiC by bismuth
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Formation of Micro- and Nano-Trenches on Epitaxial Graphene
Veröffentlicht in Applied sciences
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Doping induced indirect-to-direct bandgap transition of two-dimensional Ga2O3
Veröffentlicht in Applied surface science
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Nanostructured Bi Grown on Epitaxial Graphene/SiC
Veröffentlicht in The journal of physical chemistry letters
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Bismuth mediated defect engineering of epitaxial graphene on SiC(0001)
Veröffentlicht in Carbon (New York)
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10 × 10 Ga2O3-based solar-blind UV detector array and imaging characteristic
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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Study on Black Phosphorus Characteristics Using a Two-Step Thinning Method
Veröffentlicht in Materials
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