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    Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutrons

    Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutrons von Dolgolenko, A P, Litovchenko, P G, Litovehenko, A P, Varentsov, M D, Lastovetsky, V F, Gaidar, G P


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    Particularities of the formation of radiation defects in silicon with low and high concentrations of oxygen

    Particularities of the formation of radiation defects in silicon with low and high concentrations of oxygen von Dolgolenko, A. P., Litovchenko, P. G., Varentsov, M. D., Gaidar, G. P., Litovchenko, A. P.

    Veröffentlicht in Physica Status Solidi (b)

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