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A Compact Model for Double-Gate Heterojunction Tunnel FETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
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Synthesis of two‐dimensional transition metal dichalcogenides for electronics and optoelectronics
Veröffentlicht in InfoMat
VolltextArtikel -
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An Analytical Charge Model for Double-Gate Tunnel FETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
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A Junctionless Nanowire Transistor With a Dual-Material Gate
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
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Origin of Nonideal Graphene-Silicon Schottky Junction
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
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