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1/f noise in Si and Si0.7Ge0.3 pMOSFETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
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1/f noise in Si and Si/sub 0.7/Ge/sub 0.3/ pMOSFETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
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