Ferromagnetism in Fe-doped CuO nanopowder von 赵婧 夏庆林 李晋闽

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MOCVD epitaxy of InAlN on different templates von 贠利君 魏同波 闫建昌 刘喆 王军喜 李晋闽

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Influence of growth conditions on the V-defects in InGaN/GaN MQWs von 纪攀峰 刘乃鑫 魏学成 刘喆 路红喜 王军喜 李晋闽

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Improvement of the efficiency droop of GaN-LEDs using an AlGaN/GaN superlattice insertion layer von 纪攀峰 刘乃鑫 魏同波 刘喆 路红喜 王军喜 李晋闽

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Advances and prospects in nitrides based light-emitting-diodes von 李晋闽 刘喆 刘志强 闫建昌 魏同波 伊晓燕 王军喜

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III-Nitrides Light Emitting Diodes: Technology and Applications von Li, Jinmin

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Low threading dislocation density in GaN films grown on patterned sapphire substrates von 梁萌 王国宏 李鸿渐 李志聪 姚然 王兵 李盼盼 李璟 伊晓燕 王军喜 李晋闽

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Increased effective reflection and transmission at the GaN-sapphire interface of LEDs grown on patterned sapphire substrates von 吴冬雪 马平 刘波亭 张烁 王军喜 李晋闽

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The design and fabrication of a GaN-based monolithic light-emitting diode array von 詹腾 张扬 李璟 马骏 刘志强 伊晓燕 王国宏 李晋闽

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Evaluation of light extraction efficiency for the light-emitting diodes based on the transfer matrix formalism and ray-tracing method von 安平博 王莉 路红喜 于治国 刘磊 席鑫 赵丽霞 王军喜 李晋闽

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Advantages of InGaN/GaN light emitting diodes with p-GaN grown under high pressure von 付丙磊 刘乃鑫 刘喆 李晋闽 王军喜

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Light-extraction enhancement of freestanding GaN-based flip-chip light-emitting diodes using two-step roughening methods von 安铁雷 孙波 魏同波 赵丽霞 段瑞飞 廖元勋 李晋闽 伊福廷

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Enhanced light extraction of InGaN LEDs with photonic crystals grown on p-GaN using selective-area epitaxy and nanospherical-lens photolithography von 赵玲慧 魏同波 王军喜 严清峰 曾一平 李晋闽

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Effects of the p-AlInGaN/GaN superlattices＇ structure on the performance of blue LEDs von 刘娜 伊晓燕 梁萌 郭恩卿 冯向旭 司朝 姬小利 魏学成 路红喜 刘志强 张宁 王军喜 李晋闽

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Improvement of carrier distribution in dual wavelength light-emitting diodes von 司朝 魏同波 张宁 马骏 王军喜 李晋闽

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Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer von Li, Zhicong (志聪 李), Li, Panpan (盼盼 李), Wang, Bing (兵王), Li, Hongjian (鸿渐 李), Liang, Meng (萌梁), Yao, Ran (然姚), Li, Jing (璟李), Deng, Yuanming (元明 邓), Yi, Xiaoyan (晓燕 伊), Wang, Guohong (国宏 王), Li, Jinmin (晋闽 李)

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High quality GaN-based LED epitaxial layers grown in a homemade MOCVD system von Yin, Haibo (海波 殷), Wang, Xiaoliang (晓亮 王), Ran, Junxue (军学 冉), Hu, Guoxin (国新 胡), Zhang, Lu (露张), Xiao, Hongling (红领 肖), Li, Jing (璟李), Li, Jinmin (晋闽 李)

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Characterization of quaternary AlInGaN epilayers and polarization-reduced InGaN/AlInGaN MQW grown by MOCVD von 刘乃鑫 王军喜 闫建昌 刘喆 阮军 李晋闽

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Luminescence distribution and hole transport in asymmetric InGaN multiple-quantum well light-emitting diodes von 姬小利 杨富华 王军喜 段瑞飞 丁凯 曾一平 王国宏 李晋闽

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Epitaxial growth on 4H-SiC by TCS as a silicon precursor von 纪刚 孙国胜 刘兴昉 王雷 赵万顺 曾一平 李晋闽

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