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Suchergebnisse - Li, Huijun (惠军 李)
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Design consideration of the thermal and electro stability of multi-finger HBTs based on different device structures
von
陈延湖 申华军 刘新宇 徐辉 李玲 李惠军
Veröffentlicht in
Journal of semiconductors
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2
Influence of annealed ohmic contact metals on electron mobility of strained AlGaN/GaN heterostructures
von
赵建芝 林兆军 Corrigan TD 张宇 李惠军
Veröffentlicht in
Journal of semiconductors
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3
Intrinsic stability of an HBT based on a small signal equivalent circuit model
von
Chen, Yanhu (延湖 陈)
,
Shen, Huajun (华军 申)
,
Liu, Xinyu (新宇 刘)
,
Li, Huijun (惠军 李)
,
Xu, Hui (辉徐)
,
Li, Ling (玲李)
Veröffentlicht in
Journal of semiconductors
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Artikel
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4
关于大型安全稳定控制系统可靠性研究的探讨
von
罗剑波
,
董希建
,
崔晓丹
,
李德胜
,
李惠军
,
李雪明
,
王娟
Veröffentlicht in
电力系统保护与控制
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Zeitschriftentitel
Journal Of Semiconductors
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Dianli Xitong Baohu Yu Kongzhi
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电力系统保护与控制
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Algan/Gan Heterostructure
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Anneal
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Electro Stability
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Electron Mobility
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Hbt
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Hbt器件
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Heterojunction Bipolar Transistor
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Hidden Failure
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Influencing Factors
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Intrinsic Stability
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1
Ohmic Contact Metals
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1
Erscheinungsjahr
Von:
Bis:
Quelle
Iop Publishing Journals
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Iopscience Extra
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3
Doaj Directory Of Open Access Journals
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1