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FDSOI devices with thin BOX and ground plane integration for 32 nm node and below
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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65 nm Device Manufacture Using Shaped E-Beam Lithography
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
VolltextArtikel -
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FDSOI devices with thin BOX and ground plane integration for 32nm node and below
Veröffentlicht in Solid-state electronics
VolltextArtikel -
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