Basal plane stacking faults in semipolar AlGaN: Hints to Al redistribution von Tischer, Ingo, Frey, Manuel, Hocker, Matthias, Jerg, Lisa, Madel, Manfred, Neuschl, Benjamin, Thonke, Klaus, Leute, Robert A.R., Scholz, Ferdinand, Groiss, Heiko, Müller, Erich, Gerthsen, Dagmar

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Determination of axial and lateral exciton diffusion length in GaN by electron energy dependent cathodoluminescence von Hocker, Matthias, Maier, Pascal, Jerg, Lisa, Tischer, Ingo, Neusser, Gregor, Kranz, Christine, Pristovsek, Markus, Humphreys, Colin J., Leute, Robert A. R., Heinz, Dominik, Rettig, Oliver, Scholz, Ferdinand, Thonke, Klaus

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Semipolar GaN-based heterostructures on foreign substrates von Scholz, Ferdinand, Caliebe, Marian, Gahramanova, Gulnaz, Heinz, Dominik, Klein, Martin, Leute, Robert A. R., Meisch, Tobias, Wang, Junjun, Hocker, Matthias, Thonke, Klaus

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Optical properties of defects in nitride semiconductors von Tischer, Ingo, Hocker, Matthias, Neuschl, Benjamin, Madel, Manfred, Feneberg, Martin, Schirra, Martin, Frey, Manuel, Knab, Manuel, Maier, Pascal, Wunderer, Thomas, Leute, Robert A.R., Wang, Junjun, Scholz, Ferdinand, Biskupek, Johannes, Bernhard, Jörg, Kaiser, Ute, Simon, Ulrich, Dieterle, Levin, Groiss, Heiko, Müller, Erich, Gerthsen, Dagmar, Thonke, Klaus

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Embedded GaN nanostripes on c-sapphire for DFB lasers with semipolar quantum wells von Leute, Robert A. R., Heinz, Dominik, Wang, Junjun, Meisch, Tobias, Müller, Marcus, Schmidt, Gordon, Metzner, Sebastian, Veit, Peter, Bertram, Frank, Christen, Jürgen, Martens, Martin, Wernicke, Tim, Kneissl, Michael, Jenisch, Stefan, Strehle, Steffen, Rettig, Oliver, Thonke, Klaus, Scholz, Ferdinand

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Blue to true green LEDs with semipolar quantum wells based on GaN nanostripes von Leute, Robert A. R., Wang, Junjun, Meisch, Tobias, Biskupek, Joachim, Kaiser, Ute, Scholz, Ferdinand

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High-excitation and high-resolution photoluminescence spectra of bulk AlN von Feneberg, Martin, Leute, Robert A. R., Neuschl, Benjamin, Thonke, Klaus, Bickermann, Matthias

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