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    Improved electrical characteristics of amorphous InGaZnO thin-film transistor with HfLaO gate dielectric by nitrogen incorporation

    Improved electrical characteristics of amorphous InGaZnO thin-film transistor with HfLaO gate dielectric by nitrogen incorporation von Song, Jiaqi, Qian, Lingxuan, Leung, Cheunghoi, Lai, Puito

    Veröffentlicht in Applied physics express

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