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Impact ionization characteristics of III-V semiconductors for a wide range of multiplication region thicknesses
von
Yuan, P.
,
Hansing, C.C.
,
Anselm, K.A.
,
Lenox, C.V.
,
Nie, H.
,
Holmes, A.L.
,
Streetman, B.G.
,
Campbell, J.C.
Veröffentlicht in
IEEE journal of quantum electronics
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