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Tunable Si Dangling Bond Pathway Induced Forming-Free Hydrogenated Silicon Carbide Resistive Switching Memory Device
von
Chen, Liangliang
,
Len, Kanming
,
Ma, Zhongyuan
,
Yu, Xinyue
,
Shen, Zixiao
,
You, Jiayang
,
Li, Wei
,
Xu, Jun
,
Xu, Ling
,
Chen, Kunji
,
Feng, Duan
Veröffentlicht in
The journal of physical chemistry letters
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