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Proton induced radiation effect of SiC MOSFET under different bias
Veröffentlicht in Chinese physics B
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Influence of heavy ion irradiation on DC and gate-lag performance of AlGaN/GaN HEMTs
Veröffentlicht in Chinese physics B
VolltextArtikel -
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Study on proton-induced single event effect of SiC diode and MOSFET
Veröffentlicht in Microelectronics and reliability
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